高勇   男  1956年生，博导。全国电力电子学会理事、陕西省电子学会理事、国家集成电路设计西安产业化基地专家指导委员会委员、IEEE会员、西安理工大学微电子学与固体电子学博士点学科带头人。多年来一直从事微电子技术、电力电子领域的教学、科研工作，承担多项国家自然科学基金、国家科技攻关项目以及省、部级项目的研究，1994年以来发表学术论文200余篇，其中被三大检索收录80余篇；获科技进步成果奖10余项，其中省、部级7项；出版专著2部。曾被评为机械部跨世纪学科骨干、陕西省“三五”人才。培养研究生100余人，其中博士20余人。

主要研究方向：电力电子与电力传动、电力电子器件与功率集成

近年来主要科研项目：

1. 大功率IGBT芯片及器件关键技术研究及产业化（省部级，2015.12-2017.12）

2. 3MW风电变流器功率单元研发（省部级，2013.01-2014.12）

3. 3300V/1200A IGBT驱动保护电路设计（省部级，2013.01-2014.12）

4. 大功率风力发电变流器功率单元关键技术研发（省部级，2012.10-2014.09）

5. 1700V/2400A大功率IGBT IPM关键技术研究（省部级，2013.01-2014.12）

近年来主要科研成果：

1. 高压大功率IGBT模块的研制及产业化  陕西省人民政府2014年度科学技术一等奖

2. 轨道交通中智能测试技术及应用  陕西省人民政府2013年度科学技术二等奖

3. 全数字SPWM三相信号发生专用芯片，西安市科技进步一等奖

4. SiGe半导体异质结理论与新器件结构的研究，2009年度陕西高等学校科学技术一等奖

5.双栅双应变沟道全耗尽SOI MOSFETs，ZL200710019194.X

6.门极换流晶闸管GCT的门－阴极结构设计方法，ZL200510096016.8

7. Analysis and optimal Design of a Novel SiGe/Si power diode for Fast and Soft recovery，Chinese Physics Letter SCI：774YC

8. Improvement of High Temperature Characteristics for SiGeC p-i-n Diodes with Carbon Incorporatio，Chinese Physics Letters，SCI收录(ISI:000256252600099)

9. 国家自然科学基，阳极注入效率可控的（IEC）GCT新结构及其关键技术研究

10. 国家十一五攻关子题，新型电力电子器件及电力电子集成技术

11. 美国应用材料创新基金（西安），双栅双应变MOSFET的研究

发表论文：

1. Effects of p and n pillar widths on electrical chara -cteristics of super junction SiGe power diodes 物理学报2011年，第60卷、第4期基于无源性的变速恒频双馈风力发电机控制系统电工技术学报2010年，第25卷、第7期

2. Characteristics of vertical double -gate dual-strained- channel MOS FETs      Journal of Semiconductors2009年,Vol.30,No.6

3. Improvement of High Tempe -rature Characteristics for SiGeC p-i-n Diodes with Carbon In–corporation Chinese Physics Letters 2008年,Vol.25,No.6

4. Research on reverse recovery characteristics of SiGeC p-i-n diodes     Chinese Physics B2008年,Vol.17,No.12

5. 双栅双应变沟道全耗尽SOI MOSFETs的特性分析,半导体学报2008年,Vol.29,No.2

6. A Novel Fully Depleted Air AIN Silicon-on-Insulator Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor Chinese Physics Letters 2008年,Vol.25,No.8

7. A Novel Method for the Initial-condition Estimation of a Tent Map Chinese Physics Letters 2009年,Vol.26,No.7

8. A Super Junction SiGe Low-Loss Fast Switching Power Diode       Chinese Physics B 2009 年，Vol.18, No.1

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