本课题来源于国家自然科学基金项目“硅光电倍增器的反常击穿特性及其机理研究”（项目号：11405119），是其中的一个子项目。硅光电倍增器近年来收到逐渐重视。SiPM具有比雪崩光电二极管(Avalanche Photodiode，APD)和光电倍增管（PMT）好得多的光子数分辨本领，没有APD和PMT那样大的增益起伏或过噪声，响应速度快 (~1ns)、工作电压低（<100 V）、体积小易于集成、安全可靠、结实耐用、不受磁场干扰、成本低廉等诸多优点，成为辐射探测领域的一个研究热点，在高能粒子物理、天体物理、核物理、核医学成像、光谱学等领域得到了较为广泛地应用。SiPM是由数百至数万个直径为1~100 μm量级的相同的盖革雪崩光电二极管 单元并联集成在一单晶硅片上构成的阵列。本课题将该种探测器配备了相关电路，集成在一个比手掌还小的屏蔽盒中，可以方便地进行光子探测实验，达到了国内先进水平。该技术成熟，可以适用于光探测的各种场合，适用范围广，适用安全，无隐患。目前已进行了激光测距等应用领域的尝试，效果优秀。已产生经济效益，用户使用反映良好。